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IXGQ96N30TCD1

IXGQ96N30TCD1

Quantity :  
  • Model: IXGQ96N30TCD1
  • Manufactured by: IXYS
  • VCES (V) : 320
  • ICP TJ = 150°C tp < 10 µs IGBT (A) : 250
  • IC25 TC=25°C IGBT (A) : 96
  • VCE(sat) max TJ=25°C IGBT (V) : 1.70
  • Ciss typ IGBT (pF) : 1860
  • Qg typ IGBT (nC) : 59
  • tfi typ IGBT (ns) : 145
  • RthJC max IGBT (K/W) : 0.56
  • IDP TJ = 150°C tp < 10 µs (A) : 40
  • RthJC max Diode (K/W) : 2.50


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